1-125. 為什么對不銹鋼的晶間腐蝕，最主要的是弱氧化性介質？
1-126. 西野等研究者得出，不銹鋼奧氏體相中碳的固溶度[以(Cr、Fe)23C6析出]與溫度T及Cr、Ni含量的干系為
式中C表現碳的固溶度，Cr和Ni表現不銹鋼的鉻含量和鎳含量，都是重量百分數。
謀略Cr18Ni9和Cr25Ni20兩種不銹鋼在溫度1150°C和650°C時的碳固溶度。
1-127. 圖1-12為奧氏體不銹鋼(顛末650°C敏化處理1小時)的含鉻量和含鎳量與防止產生晶間腐蝕的臨界含碳量的干系圖。
(1) 由圖上求Cr18Ni9和Cr25Ni20不銹鋼不產生晶間腐蝕所容許的最高含碳量。
(2) 分析鉻和鎳對不銹鋼晶間腐蝕敏感性的影響。
1-128. 為什么不銹鋼部件經焊接后會產生晶間腐蝕偏向？產生晶間腐蝕偏向的部位在那邊？這種部件是否在任何環境中利用都產生晶間腐蝕？怎樣辦理這一腐蝕問題？
1-129. 圖1-13表明，實行測出的不銹鋼晶間腐蝕深度與敏化加熱時間的干系。
(1)分析敏化加熱時間高出某
一數值后反而使晶間腐蝕深度減小的緣故原由。
(2)能否利用這一種辦法來避
免不銹鋼在加工進程中因敏化熱處理而造成的晶間腐蝕偏向？
1-130. 五個鐵鉚釘，每個袒露面積為3.2cm2，插入一塊袒露面積為1m2的銅板上，將銅板浸泡在一種充氣的中性溶液中。
(1)鉚釘的腐蝕速度是多少
mm/y？
(2)要是在鐵板上裝5個銅鉚釘，尺寸同上，鐵板的腐蝕速度將等于
多少mm/y？
1-131. 陽極性金屬M2(面積S2)與陰極性金屬M1(面積S1)組成一個電偶腐蝕電池，為活化極化控制腐蝕體系。設M1和M2面積相稱(即S1 = S2)時，M2的電偶腐蝕電流密度為ig(M2)。謀略當M1的面積增大到原來的10倍(即S1 = 10S2)時，M2的腐蝕電流密度ig?(M2)。
已知M2的陽極應聲Tafel斜率ba(M2) = 0.04V，在M1上陰極應聲Tafel斜率bc(M1) = 0.12V。
1-132. 用下面兩個電偶腐蝕體系經過謀略闡明如下命題："去極化劑還原應聲在陰極性金屬M1上愈容易舉行，則陽極性金屬M2的電偶腐蝕效應愈大"。
腐蝕體系：pH = 0的酸溶液。
(1)鋅與銅組成電偶對，
鋅與鉑組成電偶對。
M1與M2的面積比：S1/S2 = 2
在pH = 0的酸溶液中，析氫應聲在鋅表面上屈從Tafel方程式
在銅表面上析氫應聲的Tafel方程式為
在鉑表面上析氫應聲的Tafel方程式為
h的單位：V，i的單位：A/cm2。
1-133. 在陰極應聲受氧擴散控制的環境下，面積為S2的陽極性金屬M2與面積為S1的陰極性金屬M1組成電偶對。M2的電位由Ecor(M2)正移到Eg。
推導M2的電位變革DE = Eg - Ecor(M2)的表現式。
1-134. 在氧擴散控制的吸氧腐蝕體系中，當陽極性金屬M2與陰極性金屬M1組成電偶對，按集氧面積原理，M2的電偶電流密度ig(M2)與陰極性金屬M1的面積S1成正比
id是氧的極限擴散電流密度。
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